日本高亮度光科學研究中心（JASRI）、理化學研究所及神島化學工業公司組成的研究小組，成功開發出能分辨200納米結構的高分辨率X光成像探測器。這款X光探測器擁有全球最高的分辨率，能獲得前所未有的高精細X光圖像。
研究小組利用X光轉換為可見光，開發了無接合層的5微米厚透明薄膜閃爍體，大幅提高了光學特性，實現了接近X光成像理論極限的200納米分辨率。利用該探測器，研究小組成功拍攝了超大規模集成電路（VLSI）器件內部300納米寬的布線。這是全球首次以實用水平畫質無損拍攝出VLSI內部的微細布線。
為了獲得高分辨率X光圖像，目前采用的方法是，利用薄膜閃爍體將X光轉換為可見光後，用鏡頭放大並成像。不過截至目前，最精細的設備也隻能分辨500nm左右的結構。
研發小組以大幅提高分辨率為目標，將著眼點放在了X光轉換為可見光後的成像過程。成功開發了無接合層的5μm厚的透明薄膜閃爍體，大幅提高了光學特性。從而實現了接近X光成像理論極限的200nm分辨率。另外，還利用該性能，成功拍攝了超大規模集成電路（VLSI）器件內部300nm寬的布線。這是全球首次以實用水平的畫質無損拍攝出VLSI內部的微細布線。
此次的成果表明，利用新開發的X光探測器能夠輕鬆獲得高分辨率的透視圖像。不僅是SPring-8等大型同步輻射設施，采用小型X光源的電子元器件也有望在無損檢查等領域實現實用化。
相關論文已於3月15日發表在美國科學雜誌《Optics Letters》上，還被評為該雜誌編輯精選內容（Editor's pick）。
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